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Ossido di indio(III) | |
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Caratteristiche generali | |
Formula bruta o molecolare | In2O3 |
Massa molecolare (u) | 277,64 g/mol |
Aspetto | solido verde-giallastro |
Numero CAS | numero CAS non valido |
Numero EINECS | 215-193-9 |
PubChem | 150905 |
SMILES | .... |
Proprietà chimico-fisiche | |
Densità (g/cm3, in c.s.) | 7,179 g/cm³ |
Indicazioni di sicurezza | |
L'ossido di indio(III) è un ossido anfotero dell'indio. È il componente principale dell'ITO, utilizzato nella produzione di pellicole conduttive trasparenti.
È insolubile in acqua. La forma cristallina ha due fasi: quella cubica a corpo centrato e quella romboedrica (tipo corindone). Entrambe hanno una band gap di circa 3,6 eV. La fase cubica è quella comune, mentre la romboedrica si produce con la crescita ad alte temperature e pressioni.
Film sottili policristallini di ossido di indio dopato con zinco hanno conduttività elevata (~105 S/m) e sono superconduttori alla temperatura dell'elio liquido. La temperatura di transizione dipende dalla struttura e dal dopaggio ed è inferiore ai 3,3 K.
L'ossido di indio è utilizzato in batterie alcaline, film sottili in grado di riflettere l'infrarosso ma trasparenti alla luce e in rivestimenti speciali. In combinazione con il diossido di stagno forma l'ITO, utilizzato per rivestimenti trasparenti conduttivi (es.schermi piatti).
È un semiconduttore di tipo n, può quindi essere usato come elemento resistivo in circuiti integrati.
In istologia l'ossido di indio è presente in formulazioni per aumentare il contrasto dei campioni sottoposti a microscopia.